真空探針臺是一個(gè)低成本不需要低溫制冷劑的探針臺,它可以對器件進(jìn)行非破壞性的測試,器件的尺寸可達到51mm,可以對材料或器件的電學(xué)特性測量、光電特性測量、參數測量、high Z測量、DC測量、RF測量和微波特性測量提供一個(gè)測試平臺。
真空探針臺主要用于為被測芯片提供一個(gè)低溫或者高溫的變溫測量環(huán)境,以便測量分析溫度變化時(shí)芯片性能參數的變化。腔體內被測芯片在真空環(huán)境中有效避免易受氧化半導體器件接觸空氣所帶來(lái)的測試結果誤差。因為晶圓在低溫大氣環(huán)境測試時(shí),空氣中的水汽會(huì )凝結在晶圓上,會(huì )導致漏電過(guò)大或者探針無(wú)法接觸電極而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內的水汽在測試前用泵抽走,并且保持整個(gè)測試過(guò)程泵的運轉。
下面為您介紹真空探針臺所具備的特點(diǎn):
1、2.25T垂直超導磁場(chǎng)。
2、高溫選件溫度范圍:20K到500K。
3、采用閉循環(huán)制冷機制冷,不需消耗任何液氮或液氦,基本系統溫度范圍:10K到350K。
4、探針臂分別在防輻射屏和樣品臺上熱沉,溫度可以低至25K。
5、控溫穩定性:±50mK。
6、探針臂傳上安裝溫度感器進(jìn)行溫度監測。
7、低振動(dòng)設計:在樣品臺<1μm ( X, Y, Z軸)。
8、各種樣品架適于低噪音,高頻,高阻測量。
9、測量DC到67GHz。
10、測試樣品尺寸51mm(2in)直徑,可使用6個(gè)探針臂。
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